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SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

compliant

SI3552DV-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.2nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.15W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
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Zugehörige Teilenummer

DMT3020LFDB-7
FDG6308P
FDG6308P
$0 $/Stück
BUK9K30-80EX
SMA5118
SMA5118
$0 $/Stück
SQJB00EP-T1_GE3
DMN2053UFDBQ-13
BUK7K17-80EX
NTMFD5C446NLT1G
NTMFD5C446NLT1G
$0 $/Stück
NTMFD5C470NLT1G
NTMFD5C470NLT1G
$0 $/Stück

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