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SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

compliant

SQJB00EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.51168 -
6,000 $0.48766 -
15,000 $0.47050 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1700pF @ 25V
Leistung - max. 48W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

DMN2053UFDBQ-13
BUK7K17-80EX
NTMFD5C446NLT1G
NTMFD5C446NLT1G
$0 $/Stück
NTMFD5C470NLT1G
NTMFD5C470NLT1G
$0 $/Stück
2N7002VA-7
SI6968BEDQ-T1-GE3
CSD88539NDT
CSD88539NDT
$0 $/Stück
TC8220K6-G
FDS6990S

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