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MCCD2007-TP

MCCD2007-TP

MCCD2007-TP

MOSFET 2N-CH 20V 7A

MCCD2007-TP Technisches Datenblatt

compliant

MCCD2007-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.15200 -
6,000 $0.14400 -
15,000 $0.13600 -
30,000 $0.13200 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1150pF @ 10V
Leistung - max. -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-WFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket DFN2030-6
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Zugehörige Teilenummer

SI3552DV-T1-GE3
DMT3020LFDB-7
FDG6308P
FDG6308P
$0 $/Stück
BUK9K30-80EX
SMA5118
SMA5118
$0 $/Stück
SQJB00EP-T1_GE3
DMN2053UFDBQ-13
BUK7K17-80EX
NTMFD5C446NLT1G
NTMFD5C446NLT1G
$0 $/Stück

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