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TN2106K1-G

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MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB

SOT-23

TN2106K1-G Technisches Datenblatt

nicht konform

TN2106K1-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.37080 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 280mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFBG30PBF-BE3
BS170FTA
BS170FTA
$0 $/Stück
BSC079N03SG
RM15P60LD
RM15P60LD
$0 $/Stück
NVMFS6H818NWFT1G
NVMFS6H818NWFT1G
$0 $/Stück
R6046ANZ1C9
SQD50P04-09L_GE3

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