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RM15P60LD

RM15P60LD

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Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 60V 13A TO252-2

SOT-23

RM15P60LD Technisches Datenblatt

nicht konform

RM15P60LD Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.15000 $0.15
500 $0.1485 $74.25
1000 $0.147 $147
1500 $0.1455 $218.25
2000 $0.144 $288
2500 $0.1425 $356.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1080 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31.2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-2
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS6H818NWFT1G
NVMFS6H818NWFT1G
$0 $/Stück
R6046ANZ1C9
SQD50P04-09L_GE3
IXFA18N60X
IXFA18N60X
$0 $/Stück
PHD71NQ03LT,118
PHD71NQ03LT,118
$0 $/Stück
NVMFS5C680NLWFT1G
NVMFS5C680NLWFT1G
$0 $/Stück
DMP2004WK-7

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