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TN5335K1-G

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MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23

TN5335K1-G Technisches Datenblatt

compliant

TN5335K1-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.57680 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 350 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 3V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 110 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23 (TO-236AB)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

PMPB100ENEA115
SIHD6N65E-GE3
FQPF19N10
FQPF19N10
$0 $/Stück
NTTFS015P03P8ZTWG
NTTFS015P03P8ZTWG
$0 $/Stück
MCP60P06-BP
SIR462DP-T1-GE3
STB45N60DM2AG
DMN53D0LQ-13

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