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TP2540N8-G

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MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA

TP2540N8-G Technisches Datenblatt

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TP2540N8-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $1.13300 -
62790 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 125mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 125 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-243AA (SOT-89)
Paket / Koffer TO-243AA
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Zugehörige Teilenummer

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$0 $/Stück
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CSD23203WT
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IXTN40P50P
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