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CSD23203WT

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MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

CSD23203WT Technisches Datenblatt

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CSD23203WT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.15000 $1.15
500 $1.1385 $569.25
1000 $1.127 $1127
1500 $1.1155 $1673.25
2000 $1.104 $2208
2500 $1.0925 $2731.25
14433 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 8 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) -6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 914 pF @ 4 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-DSBGA (1x1.5)
Paket / Koffer 6-UFBGA, DSBGA
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Zugehörige Teilenummer

IXTN40P50P
IXTN40P50P
$0 $/Stück
2SK2624LS
2SK2624LS
$0 $/Stück
DMG2305UX-13
SIHF7N60E-GE3
FDS8876
PSMN5R6-100XS,127

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