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VN0550N3-G-P013

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MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60Ohm @ 50mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 55 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Paket / Koffer TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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