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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 500 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 50mA (Tj) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 60Ohm @ 50mA, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 4V @ 1mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 55 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
Paket / Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
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