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APT28F60B

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MOSFET N-CH 600V 30A TO247

APT28F60B Technisches Datenblatt

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APT28F60B Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5575 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

TT8U2TCR
TT8U2TCR
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IRLR8103TRL
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$0 $/Stück
IRF1902GPBF
BSS209PW
IRFR9120TRR
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FQPF9N25
IRF230
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$0 $/Stück
2N6761
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FQA24N50F
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