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2N6761

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N-CHANNEL POWER MOSFET

2N6761 Technisches Datenblatt

nicht konform

2N6761 Preise und Bestellung

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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 450 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3
Paket / Koffer TO-204AA, TO-3
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Zugehörige Teilenummer

FQA24N50F
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IRFR15N20DPBF
HUFA75321D3S
HUFA75321D3S
$0 $/Stück
FQP13N50
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$0 $/Stück
IRLR014NTR
IXFK27N80
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$0 $/Stück
PHB101NQ04T,118
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$0 $/Stück

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