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HUFA75321D3S

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MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 680 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 93W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FQP13N50
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IRLR014NTR
IXFK27N80
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PHB101NQ04T,118
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$0 $/Stück
AUIRFS4610
RSS075P03TB1
SI7403BDN-T1-E3
NVMFS5834NLT3G
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