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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.5V, 4.5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 74mOhm @ 5.1A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ ID | 1V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 15 nC @ 8 V |
vgs (max) | ±8V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 430 pF @ 10 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 9.6W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / Koffer | PowerPAK® 1212-8 |
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