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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 100 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 12.8A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 180mOhm @ 6.4A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 16 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±25V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 450 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263) |
Paket / Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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