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MCQ60P05-TP

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MOSFET P-CH

MCQ60P05-TP Technisches Datenblatt

nicht konform

MCQ60P05-TP Preise und Bestellung

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500 $0 $0
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1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1450 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

STP5NB40
STP5NB40
$0 $/Stück
DMP2066LVT-7
RTQ040P02TR
IRF1902GTRPBF
IRFP150N
IRF614
IRF614
$0 $/Stück
NTB75N06G
NTB75N06G
$0 $/Stück
IRF2903ZLPBF
AUIRFU4292

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