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NTB75N06G

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MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4510 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRF2903ZLPBF
AUIRFU4292
IXKP10N60C5
IXKP10N60C5
$0 $/Stück
IRF6609
IRF6609
$0 $/Stück
IRF3711ZSPBF
SI6413DQ-T1-E3
BUK7E2R6-60E,127
IRF7402PBF
SPP80N06S2-05

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