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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 6.8A (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.7V, 4.5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 35mOhm @ 4.1A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ ID | 700mV @ 250µA (Min) |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 22 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | ±12V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 650 pF @ 15 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Paket / Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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