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SPP80N06S2-05

SPP80N06S2-05

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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

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SPP80N06S2-05 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6790 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTH72N20T
IXTH72N20T
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NTTFS4943NTWG
NTTFS4943NTWG
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STP13NM50N
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IRFIZ34E
HUFA75639P3
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ZVP0120AS
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