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IPI100N08N3GHKSA1

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MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3

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IPI100N08N3GHKSA1 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 46µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2410 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO262-3
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

IRF3711ZSPBF
SI6413DQ-T1-E3
BUK7E2R6-60E,127
IRF7402PBF
SPP80N06S2-05
IXTH72N20T
IXTH72N20T
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NTTFS4943NTWG
NTTFS4943NTWG
$0 $/Stück
STP13NM50N
STP13NM50N
$0 $/Stück
IRFIZ34E

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