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SI6413DQ-T1-E3

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SI6413DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP

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SI6413DQ-T1-E3 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 8.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 800mV @ 400µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.05W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

BUK7E2R6-60E,127
IRF7402PBF
SPP80N06S2-05
IXTH72N20T
IXTH72N20T
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NTTFS4943NTWG
NTTFS4943NTWG
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STP13NM50N
STP13NM50N
$0 $/Stück
IRFIZ34E

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