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BUK7E2R6-60E,127

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MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

nicht konform

BUK7E2R6-60E,127 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.66000 $2.66
50 $2.14180 $107.09
100 $1.92750 $192.75
500 $1.49920 $749.6
1,000 $1.24219 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 158 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11180 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 349W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

IRF7402PBF
SPP80N06S2-05
IXTH72N20T
IXTH72N20T
$0 $/Stück
NTTFS4943NTWG
NTTFS4943NTWG
$0 $/Stück
STP13NM50N
STP13NM50N
$0 $/Stück
IRFIZ34E
HUFA75639P3
HUFA75639P3
$0 $/Stück

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