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IRF614

IRF614

IRF614

ADVANCED POWER MOSFET

IRF614 Technisches Datenblatt

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IRF614 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 140 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTB75N06G
NTB75N06G
$0 $/Stück
IRF2903ZLPBF
AUIRFU4292
IXKP10N60C5
IXKP10N60C5
$0 $/Stück
IRF6609
IRF6609
$0 $/Stück
IRF3711ZSPBF
SI6413DQ-T1-E3
BUK7E2R6-60E,127
IRF7402PBF

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