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AO4441L_001

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MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC

AO4441L_001 Technisches Datenblatt

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AO4441L_001 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1120 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

DMP2066LVT-7
RTQ040P02TR
IRF1902GTRPBF
IRFP150N
IRF614
IRF614
$0 $/Stück
NTB75N06G
NTB75N06G
$0 $/Stück
IRF2903ZLPBF
AUIRFU4292
IXKP10N60C5
IXKP10N60C5
$0 $/Stück
IRF6609
IRF6609
$0 $/Stück

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