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IRFP150N

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MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC

IRFP150N Technisches Datenblatt

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IRFP150N Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF614
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$0 $/Stück
NTB75N06G
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$0 $/Stück
IRF2903ZLPBF
AUIRFU4292
IXKP10N60C5
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$0 $/Stück
IRF6609
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$0 $/Stück
IRF3711ZSPBF
SI6413DQ-T1-E3
BUK7E2R6-60E,127

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