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RTQ040P02TR

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MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6

RTQ040P02TR Technisches Datenblatt

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RTQ040P02TR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.21895 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12.2 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TSMT6 (SC-95)
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

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IRFP150N
IRF614
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$0 $/Stück
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