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STD4NK50ZD

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MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 310 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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