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Name | Wert |
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Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 55 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 5.2A (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 33mOhm @ 2.6A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2V @ 50µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 42 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1390 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
Paket / Koffer | TO-261-4, TO-261AA |
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