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IRF6629TRPBF

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MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.1mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.35V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4260 pF @ 13 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MX
Paket / Koffer DirectFET™ Isometric MX
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