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FDC642P-F085

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6

nicht konform

FDC642P-F085 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25558 -
6,000 $0.23909 -
15,000 $0.22260 -
30,000 $0.21106 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 640 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

FQB13N10TM
FQB13N10TM
$0 $/Stück
IRF6629TRPBF
IRF3709L
IRF3709SPBF
STD4NK50ZD
STD4NK50ZD
$0 $/Stück
MCQ60P05-TP
STP5NB40
STP5NB40
$0 $/Stück

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