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IXFK27N80

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA

IXFK27N80 Technisches Datenblatt

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IXFK27N80 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
25 $17.05120 $426.28
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 27A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 300mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 400 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9740 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-264AA (IXFK)
Paket / Koffer TO-264-3, TO-264AA
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Zugehörige Teilenummer

PHB101NQ04T,118
PHB101NQ04T,118
$0 $/Stück
AUIRFS4610
RSS075P03TB1
SI7403BDN-T1-E3
NVMFS5834NLT3G
NVMFS5834NLT3G
$0 $/Stück
FDC642P-F085
FDC642P-F085
$0 $/Stück
FQB13N10TM
FQB13N10TM
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IRF6629TRPBF

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