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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 800 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 27A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 300mOhm @ 13.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 4.5V @ 8mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 400 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 9740 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 500W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-264AA (IXFK) |
Paket / Koffer | TO-264-3, TO-264AA |
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