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IPD50R650CEBTMA1

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MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

nicht konform

IPD50R650CEBTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.46666 -
5,000 $0.44612 -
12,500 $0.43144 -
25,000 $0.41971 -
62,500 $0.40796 -
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 13V
rds ein (max) @ id, vgs 650mOhm @ 1.8A, 13V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 342 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 47W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

PHB101NQ04T,118
PHB101NQ04T,118
$0 $/Stück
AUIRFS4610
RSS075P03TB1
SI7403BDN-T1-E3
NVMFS5834NLT3G
NVMFS5834NLT3G
$0 $/Stück
FDC642P-F085
FDC642P-F085
$0 $/Stück
FQB13N10TM
FQB13N10TM
$0 $/Stück
IRF6629TRPBF
IRF3709L
IRF3709SPBF

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