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AOI2614

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MOSFET N-CH 60V 13A/35A TO251A

AOI2614 Technisches Datenblatt

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AOI2614 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1340 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.2W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251A
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

HUFA75321D3S
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FQP13N50
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IRLR014NTR
IXFK27N80
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$0 $/Stück
PHB101NQ04T,118
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$0 $/Stück
AUIRFS4610
RSS075P03TB1
SI7403BDN-T1-E3

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