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APTM100A46FT1G

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MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

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APTM100A46FT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000V (1kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A
rds ein (max) @ id, vgs 552mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 260nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6800pF @ 25V
Leistung - max. 357W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP1
Lieferantengerätepaket SP1
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Zugehörige Teilenummer

BUK9MFF-65PSS,518
FDD9409
NTNS155N03CTCG
NTNS155N03CTCG
$0 $/Stück
FDC6020C_F077
FDC6020C_F077
$0 $/Stück
GWM180-004X2-SL
GWM180-004X2-SL
$0 $/Stück

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