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APTM60A23FT1G

APTM60A23FT1G

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MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1

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APTM60A23FT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
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2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A
rds ein (max) @ id, vgs 276mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 165nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5316pF @ 25V
Leistung - max. 208W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP1
Lieferantengerätepaket SP1
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Zugehörige Teilenummer

2N7002DWKX-13
FMP76-010T
FMP76-010T
$0 $/Stück
MCH6606-TL-E
MCH6606-TL-E
$0 $/Stück
BUK9MTT-65PBB,518
STM1683411

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