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2N7002,215

2N7002,215

2N7002,215

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

2N7002,215 Technisches Datenblatt

nicht konform

2N7002,215 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.04448 -
6,000 $0.03920 -
15,000 $0.03392 -
30,000 $0.03216 -
75,000 $0.03040 -
150,000 $0.02688 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 300mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 830mW (Ta)
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-236AB
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFH30N60P
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NTGS3443T1G
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NTTFS022N15MC
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$0 $/Stück
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$0 $/Stück
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