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BUK7Y113-100EX

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MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56

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BUK7Y113-100EX Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 113mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 601 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer SC-100, SOT-669
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Zugehörige Teilenummer

CSD16413Q5A
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SCT30N120H
SCT30N120H
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AUIRFR2407TRL
STW23N85K5
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IXFH26N50P
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PMV37ENER
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R6020FNJTL
R6020FNJTL
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