Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SCT30N120H

SCT30N120H

SCT30N120H

SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

SCT30N120H Technisches Datenblatt

compliant

SCT30N120H Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $24.51000 $24.51
500 $24.2649 $12132.45
1000 $24.0198 $24019.8
1500 $23.7747 $35662.05
2000 $23.5296 $47059.2
2500 $23.2845 $58211.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 20 V
vgs (max) +25V, -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1700 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 270W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket H2Pak-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

AUIRFR2407TRL
STW23N85K5
STW23N85K5
$0 $/Stück
IXFH26N50P
IXFH26N50P
$0 $/Stück
PMV37ENER
PMV37ENER
$0 $/Stück
R6020FNJTL
R6020FNJTL
$0 $/Stück
STI55NF03L
STI55NF03L
$0 $/Stück
SIDR622DP-T1-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.