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BUK965R8-100E,118

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MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

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BUK965R8-100E,118 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.53813 $1230.504
1,600 $1.41158 -
2,400 $1.31423 -
5,600 $1.26555 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 5.8mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 133 nC @ 5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 17460 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 357W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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