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SIHD14N60E-BE3

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SIHD14N60E-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA

nicht konform

SIHD14N60E-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.40000 $2.4
500 $2.376 $1188
1000 $2.352 $2352
1500 $2.328 $3492
2000 $2.304 $4608
2500 $2.28 $5700
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 309mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1205 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 147W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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