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IPB22N03S4L15ATMA1

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IPB22N03S4L15ATMA1

MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3

compliant

IPB22N03S4L15ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.95206 -
27000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14.6mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 980 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SI7818DN-T1-E3
SI7164DP-T1-GE3
STW40N65M2
STW40N65M2
$0 $/Stück
IGW40N60TP
PSMN7R0-100BS,118
IXTA30N25L2
IXTA30N25L2
$0 $/Stück
PSMN027-100PS,127
SI1032X-T1-GE3
ZVP1320FQTA

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