Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8

SOT-23

nicht konform

SI7818DN-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.78720 -
6,000 $0.75024 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 135mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SI7164DP-T1-GE3
STW40N65M2
STW40N65M2
$0 $/Stück
IGW40N60TP
PSMN7R0-100BS,118
IXTA30N25L2
IXTA30N25L2
$0 $/Stück
PSMN027-100PS,127
SI1032X-T1-GE3
ZVP1320FQTA
IXTY1R4N100P
IXTY1R4N100P
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.