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SI7164DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

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SI7164DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.36833 -
6,000 $1.32085 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2830 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

STW40N65M2
STW40N65M2
$0 $/Stück
IGW40N60TP
PSMN7R0-100BS,118
IXTA30N25L2
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$0 $/Stück
PSMN027-100PS,127
SI1032X-T1-GE3
ZVP1320FQTA
IXTY1R4N100P
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$0 $/Stück
2SK1460LS
2SK1460LS
$0 $/Stück

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