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BUK969R3-100E,118

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MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

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BUK969R3-100E,118 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,800 $0.93236 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 94.3 nC @ 5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11650 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 263W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

BUK9535-100A,127
BUK9535-100A,127
$0 $/Stück
IRLZ14PBF
IRLZ14PBF
$0 $/Stück
IRFR9014TRPBF-BE3
SI2366DS-T1-BE3
IXTA3N120HV-TRL
IXTA3N120HV-TRL
$0 $/Stück
SIHG22N50D-E3
SIHD4N80E-GE3
BUK7Y18-75B,115

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