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BUK9Y19-75B,115

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MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56

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BUK9Y19-75B,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.51975 -
3,000 $0.48510 -
7,500 $0.46085 -
10,500 $0.44352 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 48.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.15V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 5 V
vgs (max) ±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3096 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 106W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer SC-100, SOT-669
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Zugehörige Teilenummer

BUK9D23-40EX
BUK6610-75C,118
IXFN62N80Q3
IXFN62N80Q3
$0 $/Stück
NX138AKMYL
NX138AKMYL
$0 $/Stück
MSC035SMA070B4
IXTA28P065T
IXTA28P065T
$0 $/Stück

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