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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 2.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 102mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 8.6 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±12V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 550 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 485mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-HUSON (2x2) |
| Paket / Koffer | 6-UFDFN Exposed Pad |
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