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PMV20ENR

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MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB

PMV20ENR Technisches Datenblatt

compliant

PMV20ENR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.13402 -
6,000 $0.12688 -
15,000 $0.11974 -
30,000 $0.11117 -
75,000 $0.10760 -
58794 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 435 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-236AB
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

STL100N10F7
BUK7Y2R0-40HX
IRLIZ34GPBF
IRLIZ34GPBF
$0 $/Stück
SQA401EEJ-T1_GE3
FCP7N60
FCP7N60
$0 $/Stück
SSS4N60BT

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