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PMV65UNER

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MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB

PMV65UNER Technisches Datenblatt

nicht konform

PMV65UNER Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.09800 -
6,000 $0.08920 -
15,000 $0.08040 -
30,000 $0.07600 -
75,000 $0.06852 -
150,000 $0.06632 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 291 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 490mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-236AB
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

SFR9224TF
FCP16N60N
FCP16N60N
$0 $/Stück
SI2312-TP
SI2312-TP
$0 $/Stück
FQN1N50CBU
NVMFS5C426NWFAFT1G
NVMFS5C426NWFAFT1G
$0 $/Stück
NTMFS4821NT1G
NTMFS4821NT1G
$0 $/Stück
DMNH4006SK3-13
SIHP105N60EF-GE3
IPP60R600P7
SPD04N60S5

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