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PMZ130UNEYL

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MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3

PMZ130UNEYL Technisches Datenblatt

nicht konform

PMZ130UNEYL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10,000 $0.06160 -
30,000 $0.05775 -
50,000 $0.05121 -
100,000 $0.05005 -
19519 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 93 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-883
Paket / Koffer SC-101, SOT-883
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Zugehörige Teilenummer

SIR472ADP-T1-GE3
IXFX64N60P3
IXFX64N60P3
$0 $/Stück
NTMFS4941NT1G
NTMFS4941NT1G
$0 $/Stück
AUIRFR3607TRL
IXFQ50N60P3
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$0 $/Stück
STP180NS04ZC
IXTP10P15T
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$0 $/Stück
PMF370XN,115
FDD6676S

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