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FDD6676S

FDD6676S

FDD6676S

N-CHANNEL POWER MOSFET

SOT-23

FDD6676S Technisches Datenblatt

nicht konform

FDD6676S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
10684 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 78A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 5 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4770 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

HUF75645S3ST
HUF75645S3ST
$0 $/Stück
IXTA96P085T
IXTA96P085T
$0 $/Stück
IXTN8N150L
IXTN8N150L
$0 $/Stück
IRF7855TRPBF
IXFA22N65X2
IXFA22N65X2
$0 $/Stück
FDBL0200N100
FDBL0200N100
$0 $/Stück
EPC2214
EPC2214
$0 $/Stück
DMN6140L-13
DMP3007LK3-13

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