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IXTN8N150L

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IXYS

MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B

SOT-23

IXTN8N150L Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTN8N150L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $36.46800 $364.68
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 3.6Ohm @ 4A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 250 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 545W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

IRF7855TRPBF
IXFA22N65X2
IXFA22N65X2
$0 $/Stück
FDBL0200N100
FDBL0200N100
$0 $/Stück
EPC2214
EPC2214
$0 $/Stück
DMN6140L-13
DMP3007LK3-13
SI3459BDV-T1-E3

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